発表 2014
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Taming Spins in a Band-gap Engineered Germanium by Light Touch
S. Hayashi, T. Tayagaki, Y. Okawa, Y. Yasutake, Hiroyuki Yaguchi, Y. Kanemitsu,
and Ssusumu Fukatsu
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems
(Hawaii, USA) 2014. 12. 3
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Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate
Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped
Superlattices
T. Suzuki, Kazuki Osada, Shuhei Yagi, S. Naito, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (1TuO.7.4) (Kyoto) 2014. 11. 25
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Control of Intermediate Band Configuration in
GaAs:N δ-doped Superlattice
Kazuki Osada, T, Suzuki, Shuhei Yagi, S. Naito, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (1WePo.1.9) (Kyoto) 2014. 11. 26
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In -situ 分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)
後藤 大祐, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
先進パワー半導体分科会 第 1回講演会 (P-53)
(名古屋) 2014. 11. 19
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フォトルミネッセンス法による4H -SiCエピ層中の酸化誘因欠陥観察
宮野 祐太郎, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
先進パワー半導体分科会 第 1回講演会 (P-89)
(名古屋) 2014. 11. 19
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Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
Yutaro Miyano, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (We-P-44) (Grenoble, France) 2014. 9. 24
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Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
Daisuke Goto, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (We-P-58) (Grenoble, France) 2014. 9. 24
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Geの磁場中時間分解円偏光フォトルミネッセンス
安武 裕輔, 矢口 裕之, 深津 晋
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (17p-PA3-7) (札幌) 2014. 9. 17
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中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
鈴木 智也, 長田 一輝, 八木 修平, 内藤 俊弥, 土方 泰斗, 岡田 至崇, 矢口 裕之
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19p-PB3-10) (札幌) 2014. 9. 19
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SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
今野 良太郎, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-PB5-11) (札幌) 2014. 9. 19
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GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
長田 一輝, 鈴木 智也, 八木 修平, 内藤 駿弥, 庄司 靖, 岡田 至崇, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-S1-6) (札幌) 2014. 9. 19
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Parallel-Antiparallel Spin Orientation Control In The Conduction Band Valleys Of Ge
S. Hayashi, T. Tayagaki, Y. Okawa, Yusuke Yasutake, Hiroyuki Yaguchi, Y. Kanemitsu, Susumu Fukatsu
Europian Materials Research Society 2014 Fall Meeting (8 2) (Warsaw, Poland) 2014. 9. 16
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二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価
末次 麻希子, A. Z. M. Touhidul Islam, 花岡 司, 福田 武司, 鎌田 憲彦, 八木 修平, 矢口 裕之
平成26年度(第47回)照明学会全国大会 (10-3) (さいたま) 2014. 9. 5
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Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation
Makiko Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, Tsukasa Hanaoka, Takeshi Fukuda,
Norihiko Kamata, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
The 14th International Symposium on the Science and Technology of Lighting (CP16) (Como, Italy) 2014. 6. 23
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Resonant tunneling of electrons through cubic-InN
quantum dots embedded in GaN
Shuhei Yagi, J. Suzuki, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (P45) (Montpellier, France) 2014. 5. 12
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Anomalous excitation power dependence of
the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
Y. Yamazaki, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Kentaro Onabe, Hiroyuki Yaguchi
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (P48) (Montpellier, France) 2014. 5. 12
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二波長PL測定によるGaPN混晶の中間バンドの観測
末次 麻希子, トウヒドル イスラム, 村越 尚輝, 花岡 司, 鎌田 憲彦, 矢口 裕之
第61回応用物理学会春季学術講演会 (18p-E11-2) (相模原) 2014. 3. 18
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RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
五十嵐 健, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 矢口 裕之
第61回応用物理学会春季学術講演会 (20a-PG1-15) (相模原) 2014. 3. 20
