発表 2003
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分光エリプソメータによるSiC上の初期酸化過程観察
関口 聡, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良)
2003. 11.
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光電子分光法による酸化膜/SiC 界面の評価
土方 泰斗, 矢口 裕之, 石田 夕起, 吉川 正人, 神谷 富裕, 吉田 貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良)
2003. 11.
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赤外反射分光による4H-SiCのイオン注入層の結晶性及び電気特性の評価
成田 勝俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 中嶋 信一, 先崎 純寿, 吉田 貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良)
2003. 11.
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Photoemission Spectroscopic Studies on Oxide/SiC Interfaces Formed by Dry and Pyrogenic Oxidation
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Yuuki Ishida, Masahito Yoshikawa, Tomihiro Kamiya, and Sadafumi Yoshida
10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (Lyon)
2003. 10.
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Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implanted-annealed
4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy
Katsutoshi Narita, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafuji Yoshida, Junji Senzaki, and Shinichi Nakashima
10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (Lyon)
2003. 10.
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希薄GaAsN混晶のフォトルミネッセンス
青木 貴嗣, 森桶 利和, 呉 智元, 秋山 英文, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第64回応用物理学会学術講演会 (1p-K-7) (福岡)
2003. 9. 1
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GaAs基板上に成長したGaAsN混晶のフォトルミネッセンス
森桶 利和, 青木 貴嗣, 呉 智元, 馬場 基芳, 秋山 英文, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第64回応用物理学会学術講演会 (1p-K-8) (福岡)
2003. 9. 1
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ラマン分光によるGaInNAs混晶の結晶構造の評価
本村 寛, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 飛田 聡, 尾鍋 研太郎
第64回応用物理学会学術講演会 (1p-K-15) (福岡)
2003. 9. 1
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窒素プラズマ及びNH3を組み合わせた3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長
三浦 輝人, 西田 謙二, 北村 芳広, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第64回応用物理学会学術講演会 (1p-G-18) (福岡)
2003. 9. 1
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RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長
西田 謙二, 三浦 輝人, 北村 芳広, 岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第64回応用物理学会学術講演会 (31p-G-8) (福岡)
2003. 8. 31
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分光エリプソメータによるSiC上の初期酸化過程観察(II)
関口 聡, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第64回応用物理学会学術講演会 (2a-B-3) (福岡)
2003. 9. 2
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Spring-8, 分光エリプソメトリ, C-V法による4H-SiC及び6H-SiC上酸化膜の評価
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 辛 埴, 野平 博司, 服部 健雄
第64回応用物理学会学術講演会 (2a-B-4) (福岡)
2003. 9. 2
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Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation
Hiroyuki Yaguchi, Toshikazu Morioke, Takashi Aoki, Yasuto Hijikata,
Sadafumi Yoshida, Hidefumi Akiyama , Noritaka Usami, Daiichiro Aoki, and Kentaro Onabe
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara)
2003. 5.
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Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys
Hiroshi Kanaya, Hiroyuki Yaguchi, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Seiro Miyoshi, and Kentaro Onabe
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara)
2003. 5.
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Raman study of the strain and homogeneity in GaAsN alloys
Makoto Nishihara, Hiroyuki Yaguchi, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Daiichiro Aoki, A. Hida A, and Kentaro Onabe
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara)
2003. 5.
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GaPN混晶の誘電関数の温度依存
金谷 大, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎
第50回応用物理学関係連合講演会 (30a-YA-12) (横浜)
2003. 3. 30
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レーザ照射によるGaAsN混晶の発光効率の向上
矢口 裕之, 森桶 利和, 青木 貴嗣, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 宇佐美 徳隆, 秋山 英文, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第50回応用物理学関係連合講演会 (30a-YA-1) (横浜)
2003. 3. 30
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NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長
三浦 輝人, 佐々木 哲哉, 中田 智成, 西田 謙二, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第50回応用物理学関係連合講演会 (30a-V-4) (横浜)
2003. 3. 30
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酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理のUPS評価
土方 泰斗, 矢口 裕之 , 石田 夕起, 吉川 正人, 神谷 富裕, 吉田 貞史
第50回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZB-1) (横浜)
2003. 3. 29
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赤外反射分光による4H-SiCのイオン注入層の厚さ及び電気特性の評価
成田 勝俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 中嶋 信一, 先崎 純寿, 山本 武継
第50回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZB-5) (横浜)
2003. 3. 29
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in situ分光エリプソメータによるSiC/酸化膜界面の光学評価
関口 聡, 川戸 郷史, 吉田 聡, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第50回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZB-2) (横浜)
2003. 3. 29
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Photoemission Spectroscopy and In-Situ Spectroscopic Ellipsometry Studies on the Ar
Post-Oxidation-Annealing Effects
Yasuto Hijikata, Satoshi Kawato, Satoshi Sekiguchi, Hiroyuki Yaguchi, Yuuki Ishida, Masahito Yoshikawa,
Tomihiro Kamiya and Sadafumi Yoshida
1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (Awajishima)
2003. 3.
